Fonction
à la date de l'arrêté
de nomination au CSTI le 27 septembre 2004
Né
à Honfleur (France) en 1945, Joël Monnier est diplômé
(ENSERG) de l'Institut National Polytechnique de Grenoble en 1968.Joël
Monnier commence sa carrière comme chercheur au CEN-Grenoble et obtient
un docto-rat au sein du LETI.
En 1974 il rejoint Texas
Instruments, au Laboratoire de Recherche & Développement à Vil-leneuve-Loubet
(France). Il est ensuite nommé à Houston (USA), responsable du dévelop-pement
des technologies MOS, mémoires et logiques. De retour en France, il devient
Direc-teur de l'Engineering et des Opérations de Production de Texas Instruments
France.
M. Monnier entre chez Thomson-CSF en 1983. Il dirige
le département "Recherche et Ma-nufacturing" de la filiale EFCIS,
filiale qui sera incorporée au sein de Thomson Semiconduc-teurs. En Juillet
1987, suite à la fusion entre Thomson Semiconducteurs et SGS Microelettro-nica,
il est nommé Vice-Président et Directeur Corporate du Manufacturing.
En 1989 il est nommé Directeur de la R&D (Recherche & Développement)
Centrale, couvrant les aspects de la technologie et du "Design Automation"
liés aux produits VLSI (activités à Agrate/Milan, Crolles/Grenoble,
Carrollton/Dallas, Berkeley, San Diego et New Delhi).
Joël
Monnier a fortement contribué à renforcer la compétitivité
technologique de STMicroe-lectronics, garantissant ainsi l'indépendance
stratégique et technologique du Groupe. Il a contribué de façon
essentielle aux accords de Recherche et Développement avec Philips, puis
TSMC et Motorola à Crolles, ainsi qu'avec Dai Nippon Printing à
Agrate.
Il a renforcé la participation du Groupe
dans les projets de haute technologie européens comme IST et MEDEA+, internationaux
comme Sematech, aussi bien que dans les pro-grammes clés nationaux.
Il
est également Président du Comité des Engagements d'Amorçages
Rhône-Alpes favorisant la création d'entreprises.
Il
a reçu le prix 2003 de " European SEMI Award " en reconnaissance
de sa contribution à la coopération et à l'intégration
dans l'industrie européenne des semi-conducteurs et à son développement
global.